客户论文分享| 利用光电综合系统探究偏振敏感异质结光电探测器和单晶钙钛矿高性能忆阻器的光电、光谱特性
文内均采用ScanPro Advance综合光电扫描测试系统进行测试
文章导读
1
基于混合维 SWCNT-MoS2异质结构的偏振敏感光热电光电探测器
原文链接：
https://doi.org/10.1039/d2na00609j
文章简介：
混合维范德华(vdW)积分已被证明对于均匀材料的物理性质的调制是有效的。在此，我们公布了通过化学气相沉积生长的单层MoS2，薄膜的集成，增强了金属单壁碳纳米管(SWCNT)薄膜的光热转换并降低了热导率。在SWCNT- MoS2杂化薄膜中，诱导温度梯度通过光热电(PTE)效应驱动载流子扩散产生光电流，并演示了在405至785nm可见光波段工作的自供电光电探测器。与对应的SWCNT相比，该器件的最大响应度提高了6倍。更重要的是，混合维器件表现出偏振相关的光生作用，各向异性比高达1.55。这项工作为开发高性能、偏振敏感的混合维集成光电探测器铺平了道路。
“The micro-Raman and micro-photoluminescence (PL) measurements were performed with a confocal microscopebased Raman spectrometer (Metatest corporation, Scanpro advance) under 532 nm.”
“Optoelectronic measurements were carried out with the assistance of a Metatest ScanPro system (Metatest corporation, Scanpro advance).”
使用我司ScanPro Advance综合光电扫描测试系统测试532nm下的微区拉曼和微区PL以及一些光电测试。
2
具有超低开关电场的可控的易失性至非易失性单晶无铅双钙钛矿忆阻器
原文链接：
https://doi.org/10.1007/s40843-022-2113-y
文章简介：
全无机无铅双钙钛矿由于其基于离子迁移的电传输、高光敏性、低毒性和环境稳定性，为电子或光电存储器件提供了一个潜在的材料平台。然而，常用的多晶钙钛矿薄膜严重限制了器件的性能。在此，我们展示了基于单晶双钙钛矿Cs2AgBiBr6的高性能忆阻器，具有6.67 × 104 V m−1的超低开关电场和107的高电流通/关比。值得注意的是，我们发现Cs2AgBiBr6的电阻变化与厚度有关，随着晶体厚度从100到800 nm，从挥发性阈值到非挥发性电阻转变。元素分析表明，Cs2AgBiBr6中导电通道的形成与低活化能Br空位的迁移有关。此外，所形成的导电通道可以被波长和强度可控的光照射湮灭，从而实现了光电存储器的电写入和光擦除分离的过程。我们的研究结果为单晶钙钛矿中的离子迁移提供了深刻的见解，并为其在未来的电子和光电子存储器件中的应用铺平了道路。
“The electrical transport properties of devices were characterized by a ScanPro Advance probe station configured with a Keithley 2636B Source-Measure Unit.”
使用我司ScanPro Advance综合光电扫描测试系统（配有吉时利2326B源测量单元）测试器件的电传输特性。
咨询电话：17766428931
迈塔光电售前及测试专员（微信同号）
