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网站首页  ꄲ  传感器件/实验耗材  ꄲ  单抛氧化带标记硅片
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넳 넲

单抛氧化带标记硅片

标记清晰，硅片表面无光刻胶残留
ꄴ上一个： 精密CNC机械加工服务（光学元件、机械零件等）
ꄲ下一个： 二维材料转移热释放胶 PDMS

产品描述：

         此种单抛氧化带标记硅片可作为纳米材料转移的衬底材料，同时因为具有标记，可帮助标记转移的纳米材料的位置。标记清晰，硅片表面无光刻胶残留。

 

硅片参数：

产品名称

单抛氧化带标记硅片

硅片导电类型

N 型、P 型

氧化厚度

300 nm

电阻率

0.1 Ω.cm

直径

4英寸

标记材质

Cr （其他金属可定制）

标记数字高度/线宽

50 um / 10 um

标记厚度

30 nm
数字间距 500 um
良率区域 大于 90%

 

购买方式：

规格：直径4英寸，100晶向。

价格：1500元/片。

如有需要请联系ccju@metatest.cn。

 

产品图片：

​

单抛氧化带标记硅片实物图

 

数字标记硅片图像

 

镀金标记硅片图像（仅供参考）

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