单抛氧化带标记硅片
标记清晰，硅片表面无光刻胶残留
产品描述：
此种单抛氧化带标记硅片可作为纳米材料转移的衬底材料，同时因为具有标记，可帮助标记转移的纳米材料的位置。标记清晰，硅片表面无光刻胶残留。
硅片参数：
|
产品名称 |
单抛氧化带标记硅片 |
|
硅片导电类型 |
N 型、P 型 |
|
氧化厚度 |
300 nm |
|
电阻率 |
0.1 Ω.cm |
|
直径 |
4英寸 |
|
标记材质 |
Cr （其他金属可定制） |
|
标记数字高度/线宽 |
50 um / 10 um |
|
标记厚度 |
30 nm |
| 数字间距 | 500 um |
| 良率区域 | 大于 90% |
购买方式：
规格：直径4英寸，100晶向。
价格：1500元/片。
如有需要请联系ccju@metatest.cn。
产品图片：
单抛氧化带标记硅片实物图
数字标记硅片图像
镀金标记硅片图像（仅供参考）
