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Metatest ALD 原子层沉积解决方案
—单片研发型热型ALD
—大学研究院科研中心
—Al₂O₃, HfO₂, SNO₂…
—保护图层耐腐蚀涂层/密封涂层
—大学研究院科研中心
—Al₂O₃, HfO₂, SNO₂…
—保护图层耐腐蚀涂层/密封涂层
ALD原子层沉积系统是一款独立可控制的薄膜生长设备,能够实现全自动工艺控制并包含完整的安全联锁功能。ALD应用领域广泛,如高K栅氧化层、存储容性电介质、铜互连中高深宽比扩散阻挡层、OLED无针孔钝化层、MEMS高均匀镀膜、纳米多孔结构镀膜、特种光纤掺杂、太阳能电池、平板显示器、光学薄膜以及其他各类特殊结构纳米薄膜等。
主要参数
系统 | 模块 | 相关参数 |
机台型号 | 晶圆尺寸 | 6寸,向下兼容 |
传送系统 | 装载方式 |
手动传送 自动沉积工艺 |
温控系统 | 衬底温度 | 500℃ |
温度空间均匀性 | ±3℃ | |
升温速率 | 5℃/min | |
温度控制精度 | ±1℃ | |
真空系统 | 极限真空 | <5*10-3Torr |
腔体漏率 | ≤5*10-9Pa.m3/s(标准He检漏) | |
腔体积(L) | 0.4L/6L | |
供源系统 | 载气 | N2 |
前驱体配置 | 2路:液态/固态/气态/臭氧源(选配) | |
主控系统 | 控制系统 | PLC |
电源系统 | 额定电压(V) | 380V |
功率(KW) | 12KW | |
机台其它 | 整机设备尺寸 |
550mm×530mm×560mm(100) 1010mm×785mm×1225mm(200) |
设备总重量(KG) | 160KG/280KG |
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