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网站首页    二维材料晶体/单层薄膜    高质量二硫化钼(MoS2)薄膜材料
高质量二硫化钼

高质量二硫化钼(MoS2)薄膜材料

MoS2材料以其特殊层状结构和独特的物理化学性质,展现出在全二维垂直晶体管、类脑计算以及柔性电子等多个方向的巨大应用潜力。这些应用前景体现了MoS2材料在未来电子和光电领域的重要作用。对此,迈塔光电现提供高质量二硫化钼(MoS2)薄膜材料。

产品详情

CVD MoS2单晶薄膜

应用场景:高性能晶体管、物性研究、薄膜晶体管、显示驱动、光电传感、外延衬底

型号 MoS2-SC-sq1 MoS2-SC-sq2 MoS2-SC-2 MoS2-SC-4 MoS2-SC-6
尺寸 1*1 cm2 2*2 cm2 2 inch 4 inch 6 inch
衬底 C面蓝宝石
制备方法 CVD
场效益迁移率 100 cm2V-1s-1

 

 

CVD MoS2多晶薄膜

应用场景:薄膜晶体管、显示驱动、光电传感、柔性电子、外延衬底

型号 MoS2-PC-sq1 MoS2-PC-sq2 MoS2-PC-2 MoS2-PC-4 MoS2-PC-6
尺寸 1*1 cm2 2*2 cm2 2 inch 4 inch 6 inch
衬底 C面蓝宝石
制备方法 CVD
晶粒取向 0°、60°
场效益迁移率 40cm2V-1s-1

 

MOCVD MoS2多晶薄膜

应用场景:显示驱动、光电器件、传感、外延衬底、转移

型号 MoS2-PC-sq1MO MoS2-PC-sq2MO MoS2-PC-2MO MoS2-PC-4MO MoS2-PC-6MO MoS2-SC-8MO MoS2-PC-12MO
尺寸 1*1 cm2 2*2 cm2 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch
衬底 C面蓝宝石
制备方法 MOCVD
场效益迁移率 10cm2V-1s-1

 

注:以上产品包装均为氮气塑封。

 


 

产品特点

超洁净

  • 膜覆盖率:100%
  • 超洁净:洁净度高达99.9%

 

高性能 无短沟道效应

  • 场效应迁移率高达90 cm2V-1s-1
  • 开态电流高达0.94 mA/um
  • 亚阈值摆幅低至70 mV/dec

 

高均一性

  • 高均一性:MoS2材料和晶体管性能均一
  • 超平坦,无多层
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