高质量二硫化钼(MoS2)薄膜材料
MoS2材料以其特殊层状结构和独特的物理化学性质,展现出在全二维垂直晶体管、类脑计算以及柔性电子等多个方向的巨大应用潜力。这些应用前景体现了MoS2材料在未来电子和光电领域的重要作用。对此,迈塔光电现提供高质量二硫化钼(MoS2)薄膜材料。
产品详情
CVD MoS2单晶薄膜
应用场景:高性能晶体管、物性研究、薄膜晶体管、显示驱动、光电传感、外延衬底
型号 | MoS2-SC-sq1 | MoS2-SC-sq2 | MoS2-SC-2 | MoS2-SC-4 | MoS2-SC-6 |
尺寸 | 1*1 cm2 | 2*2 cm2 | 2 inch | 4 inch | 6 inch |
衬底 | C面蓝宝石 | ||||
制备方法 | CVD | ||||
场效益迁移率 | 100 cm2V-1s-1 |
CVD MoS2多晶薄膜
应用场景:薄膜晶体管、显示驱动、光电传感、柔性电子、外延衬底
型号 | MoS2-PC-sq1 | MoS2-PC-sq2 | MoS2-PC-2 | MoS2-PC-4 | MoS2-PC-6 |
尺寸 | 1*1 cm2 | 2*2 cm2 | 2 inch | 4 inch | 6 inch |
衬底 | C面蓝宝石 | ||||
制备方法 | CVD | ||||
晶粒取向 | 0°、60° | ||||
场效益迁移率 | 40cm2V-1s-1 |
MOCVD MoS2多晶薄膜
应用场景:显示驱动、光电器件、传感、外延衬底、转移
型号 | MoS2-PC-sq1MO | MoS2-PC-sq2MO | MoS2-PC-2MO | MoS2-PC-4MO | MoS2-PC-6MO | MoS2-SC-8MO | MoS2-PC-12MO |
尺寸 | 1*1 cm2 | 2*2 cm2 | 2 inch | 4 inch | 6 inch | 8 inch | 12 inch |
衬底 | C面蓝宝石 | ||||||
制备方法 | MOCVD | ||||||
场效益迁移率 | 10cm2V-1s-1 |
注:以上产品包装均为氮气塑封。
产品特点
超洁净
- 膜覆盖率:100%
- 超洁净:洁净度高达99.9%
高性能 无短沟道效应
- 场效应迁移率高达90 cm2V-1s-1
- 开态电流高达0.94 mA/um
- 亚阈值摆幅低至70 mV/dec
高均一性
- 高均一性:MoS2材料和晶体管性能均一
- 超平坦,无多层
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